KAIST-한양대, 차세대 메모리 소자 신뢰성·성능 향상 방법 개발불안정한 차세대 소자 비이상성 획기적 개선…동작 범위‧속도 높일 방법‧원리 규명 고집적·저전력 뉴로모픽 시스템 구현 가능 다양한 뉴로모픽 소자 활용 기대
  • ▲ 전기및전자공학부 최신현 교수, 배종민 석사과정, 한양대 원자력공학과 권초아 박사후연구원, 김상태 교수(사진 왼쪽부터).ⓒKAIST
    ▲ 전기및전자공학부 최신현 교수, 배종민 석사과정, 한양대 원자력공학과 권초아 박사후연구원, 김상태 교수(사진 왼쪽부터).ⓒKAIST
    KAIST 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 한양대학교 연구진과의 공동 연구를 통해 차세대 메모리 소자의 신뢰성과 성능을 높일 수 있는 이종원자가 이온 도핑 방법을 개발했다. 

    이종원자가 이온(Aliovalent ion)은 원래 존재하던 원자와 다른 원자가(공유 결합의 척도, valance)를 갖는 이온을 말한다. 

    21일 KAIST에 따르면 공동연구팀은 기존 차세대 메모리 소자의 가장 큰 문제인 불규칙한 소자 특성 변화 문제를 개선하기 위해, 이종원자가 이온을 도핑하는 방식으로 소자의 균일성과 성능을 향상할 수 있다는 사실을 실험과 원자 수준의 시뮬레이션을 통해 원리를 규명했다. 

    공동연구팀은 이러한 불규칙한 소자 신뢰성 문제를 해결하기 위해 이종원자가 할라이드(halide) 이온을 산화물층 내에 적절히 주입하는 방법이 소자의 신뢰성과 성능을 향상할 수 있음을 보고했고, 연구팀은 이러한 방법으로 소자 동작의 균일성, 동작 속도, 성능이 증대됨을 실험적으로 확인했다. 
  • ▲ KAIST 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 개발한 이종원자가 이온 도핑 결과, 개선 효과와 이에 기반하는 물질적인 원리 개념도.ⓒKAIST
    ▲ KAIST 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 개발한 이종원자가 이온 도핑 결과, 개선 효과와 이에 기반하는 물질적인 원리 개념도.ⓒKAIST
    연구팀은 또한, 원자 단위 시뮬레이션 분석을 통해 결정질과 비결정질 환경에서 모두 실험적으로 확인한 결과와 일치하는 소자 성능 개선 효과가 나타남을 보고했다. 그 과정에서 도핑된 이종원자가 이온이 근처 산소 빈자리(oxygen vacancy)를 끌어당겨 안정적인 소자 동작을 가능하게 하고, 이온 근처 공간을 넓혀 빠른 소자 동작을 가능하게 하는 원리를 밝혀냈다. 

    최신현 교수는 "이번에 개발한 이종원자가 이온 도핑 방법은 뉴로모픽 소자의 신뢰성과 성능을 획기적으로 높이는 방법으로, 차세대 멤리스터 기반 뉴로모픽 컴퓨팅의 상용화에 기여할 수 있고, 밝혀낸 성능 향상 원리를 다양한 반도체 소자들에 응용할 수 있을 것ˮ이라고 말했다.

    KAIST 전기및전자공학부 배종민 석사과정, 한양대 권초아 박사후연구원이 공동 제1 저자로 참여한 이번 연구는 국제 학술지 ‘사이언스 어드밴시스(Science Advances) 6월호에 출판됐다.